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参数资料
| 型号： | 2SK4091(1)-S27-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, MP-3B, TO-251, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | 2SK4091(1)-S27-AY |
Data Sheet D18635EJ1V0DS
4
2SK4091
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Drain
Current
-
A
0
50
100
150
01
23
VGS = 10 V
4.5 V
Pulsed
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-Drain
Current
-
A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
01
2
3
4
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25°C
25
°C
75
°C
125
°C
150
°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
GS
(o
ff)
–
Gate
to
So
urce
Cut-
off
Voltage
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-75
-25
25
75
125
175
VDS = VGS
ID = 250
μA
Tch - Channel Temperature -
°C
|y
fs
|-
F
orwar
dTransfer
A
dmittance
-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25°C
25
°C
75
°C
125
°C
150
°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
R
D
S
(on)
-Drain
to
S
ourc
eOn-s
tate
Resis
tance
-m
Ω
0
10
20
30
0
5
10
15
20
Pulsed
ID = 30 A
15 A
6 A
VGS – Gate to Source Voltage - V
R
DS
(on)
-Drai
nto
Source
O
n-state
Res
istanc
e-
m
Ω
0
10
20
30
1
10
100
1000
10 V
Pulsed
VGS = 4.5 V
ID - Drain Current - A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4091-ZK-E2-AY | 30 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4092-A | 21 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4092-A | 21 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK4098LS | 7 A, 600 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SK4092 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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