- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33505 > 2SK4093TZ-E 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK4093TZ-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SC-51, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | 2SK4093TZ-E |
2SK4093
REJ03G1534-0300 Rev.3.00 Feb 01, 2008
Page 2 of 6
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source breakdown voltage
V(BR)DSS
250
—
V
ID = 10 mA, VGS = 0
Gate to source breakdown voltage
V(BR)GSS
±10
—
V
IG =
±100 A, VDS = 0
Zero gate voltage drain current
IDSS
—
1
A
VDS = 250 V, VGS = 0
Gate to source leak current
IGSS
—
±10
A
VGS =
±8 V, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
VGS(off)
0.5
—
1.5
V
VDS = 10 V, ID = 1 mA
Static drain to source on state
resistance
RDS(on)
—
1.9
2.6
ID = 0.5 A, VGS = 4 V
Note3
Static drain to source on state
resistance
RDS(on)
—
2.0
2.7
ID = 0.5 A, VGS = 2.5 V
Note3
Input capacitance
Ciss
—
140
—
pF
Output capacitance
Coss
—
18
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
6
—
pF
VDS = 25 V
VGS = 0
f = 1 MHz
Turn-on delay time
td(on)
—
14
—
ns
Rise time
tr
—
17
—
ns
Turn-off delay time
td(off)
—
46
—
ns
Fall time
tf
—
16
—
ns
ID = 0.5 A
VGS = 4 V
RL = 250
Rg = 10
Total gate charge
Qg
—
5.5
—
nC
Gate to source charge
Qgs
—
0.4
—
nC
Gate to drain charge
Qgd
—
3.1
—
nC
VDD = 200 V
VGS = 4 V
ID = 1 A
Body-drain diode forward voltage
VDF
—
0.78
1.20
V
IF = 0.5 A, VGS = 0
Note3
Body-drain diode reverse recovery time
trr
—
80
—
ns
IF = 0.5 A, VGS = 0
diF/dt = 100 A/
s
Notes: 3. Pulse test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4094 | 100 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4098FS | 6 A, 600 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4105 | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4108 | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4110 | 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4094 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4094_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4094-1E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 |
| 2SK4096LS | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4096LS_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。