参数资料
型号: 2SK4094
元件分类: JFETs
英文描述: 100 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装: TO-220, 3 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 41K
代理商: 2SK4094
2SK4094
No. A0523-4/5
IT10475
0
50
200
150
250
100
0
2
4
6
1
3
5
8
7
9
10
VDS=30V
ID=100A
VGS -- Qg
PD -- Ta
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Ambient Temperature, Ta --
°C
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w
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Po
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Dissipation,
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EAS -- Ta
A
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alanche
Ener
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actor
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%
Ambient Temperature, Ta --
°C
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140
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1.0
1.5
2.0
1.75
0.5
IT11548
IDP=400A
ID=100A
100
s
1ms
10ms
100ms
DC
operation
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
≤10s
10
s
IT10960
0.1
1.0
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5
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0.1
1.0
23
5
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35
7
2
100
35
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100
3
5
7
2
1000
3
5
7
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Tc=25
°C
Single pulse
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160
40
60
50
70
80
90
30
20
10
IT10483
PD -- Tc
Case Temperature, Tc --
°C
Allo
w
able
Po
wer
Dissipation,
P
D
--
W
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