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参数资料
| 型号： | 2SK4125 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB |
| 产品目录绘图： | TO-3PB Package N-Channel Top |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 610 毫欧 @ 7A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PB |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1537 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1071 |
2SK4125
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=10mA, VGS=0V
VDS=480V, VGS=0V
VGS=±30V, VDS=0V
600
100
±100
V
μ A
nA
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=8.5A
3
4.5
9
5
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=7A, VGS=10V
VDS=30V, f=1MHz
See Fig.2
VDS=200V, VGS=10V, ID=17A
IS=17A, VGS=0V
0.47
1200
220
50
26.5
82
145
52
46
8.3
26.7
1.0
0.61
1.3
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Fig.1 Avalanche Resistance Test Circuit
Fig.2 Switching Time Test Circuit
≥ 50 Ω
RG
L
10V
0V
VIN
VIN
VDD=200V
ID=8.5A
RL=23.5 Ω
10V
0V
50 Ω
2SK4125
VDD
PW=10 μ s
D.C. ≤ 0.5%
G
D
VOUT
2SK4125
Ordering Information
P.G
RGS=50 Ω
S
2SK4125-1E
Device
Package
TO-3P-3L
Shipping
30pcs./magazine
memo
Pb Free
35
30
Tc=25°C
ID -- VDS
15V
10V
8V
40
35
VDS=20V
ID -- VGS
Tc= --25°C
25
20
30
25
25°C
75°C
20
15
15
10
5
0
6V
VGS=5V
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT11753
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
IT11754
No. A0747-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2V7002LT1G | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3 |
| 2V7002WT1G | MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 |
| 30 PSI-G-4V | SENSOR 30PSIG 4V DUAL |
| 3003308 | SHIELDING TAPE COPPER 8MMX33M |
| 3003310 | SHIELDING TAPE COPPER 10MMX33M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4125_0712 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4125_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4125-1E | 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel |
| 2SK4125-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES |
| 2SK4126 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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