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参数资料
| 型号： | 2SK663TX |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | 2SK663TX |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4562H | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1821H | 50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1220TX | 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1219ATX | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3929H | 50 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK664 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
| 2SK665 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK666 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 150MA I(D) | MICRO-X |
| 2SK669 | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH.HF 50V 0.1A SPA |
| 2SK669-AC | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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