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参数资料
| 型号： | 2SK715V |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 15 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SPA, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SK715V |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK715T | 50 mA, 15 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK715T | 50 mA, 15 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK715 | 50 mA, 15 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK719 | 5 A, 900 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK724 | 10 A, 500 V, 0.67 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK715V-AC | 功能描述:MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK715W | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| 2SK715W-AC | 功能描述:MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK719 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
| 2SK72 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 600UA I(DSS) | TO-71 |
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