| 型号: | 2STF1550 |
| 厂商: | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
| 文件页数: | 2/8页 |
| 文件大小: | 140K |
| 代理商: | 2STF1550 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STN5551 | 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STP535FP | 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SU424 | 5 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F |
| 2T61-152-111B-AF | 152 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT, RECEPTACLE |
| 2T63-038-16AA-AF | 38 CONTACT(S), STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STF1550_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage high performance NPN power transistors |
| 2STF2220 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Hi gain Lo Vltg PNP Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF2220_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High gain Low Voltage PNP power transistor |
| 2STF2280 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF2340 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |