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参数资料
| 型号： | 2STF1550 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | 2STF1550 |
Package mechanical data
2STF1550 - 2STN1550
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Package mechanical data
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in ECOPACK
packages. These packages have a lead-free second level interconnect. The category of
second level interconnect is marked on the package and on the inner box label, in
compliance with JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to soldering
conditions are also marked on the inner box label. ECOPACK is an ST trademark.
ECOPACK specifications are available at: www.st.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STN5551 | 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STP535FP | 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SU424 | 5 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F |
| 2T61-152-111B-AF | 152 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT, RECEPTACLE |
| 2T63-038-16AA-AF | 38 CONTACT(S), STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STF1550_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage high performance NPN power transistors |
| 2STF2220 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Hi gain Lo Vltg PNP Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF2220_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High gain Low Voltage PNP power transistor |
| 2STF2280 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF2340 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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