参数资料
型号: 2STF2360
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: SURFACE MOUNT PACKAGE-3
文件页数: 1/11页
文件大小: 284K
代理商: 2STF2360
October 2009
Doc ID 13309 Rev 5
1/11
11
2STD2360
2STF2360 - 2STN2360
Low voltage fast-switching PNP power transistors
Features
Very low collector-emitter saturation voltage
High current gain characteristic
Fast-switching speed
Applications
Emergency lighting
LED
Voltage regulation
Relay drive
Description
The devices are PNP transistors manufactured
using new “PB-HDC” (power bipolar high density
current) technology. The resulting transistor
shows exceptional high gain performances
coupled with very low saturation voltage.
The complementary NPN types are the
2STD1360T4, the 2STF1360 and the 2STN1360.
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-252 (DPAK)
4
3
2
1
2
4
3
1
3
SOT-223
SOT-89
TAB
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Packages
Packaging
2STD2360T4
D2360
DPAK
Tape and reel
2STF2360
2360
SOT-89
Tape and reel
2STN2360
N2360
SOT-223
Tape and reel
相关PDF资料
PDF描述
2STN2360 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2STX2220 1500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2Y1C307-12-7F 300 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT BOARD STACKING CONNECTOR, SURFACE MOUNT, PLUG
4000-03C02K999 Transformers
40327 Small Signal Transistors
相关代理商/技术参数
参数描述
2STF2550 功能描述:两极晶体管 - BJT LV high performance PNP power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL1360 功能描述:两极晶体管 - BJT LoVltg FastSwtch npn Pwr bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL1360_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching NPN power transistors
2STL1525 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL1525-AP 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2