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参数资料
| 型号： | 2STF2360 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | 2STF2360 |
2STD2360, 2STF2360, 2STN2360
Package mechanical data
Doc ID 13309 Rev 5
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TO-252 (DPAK) mechanical data
0068772_G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STN2360 | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STX2220 | 1500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2Y1C307-12-7F | 300 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT BOARD STACKING CONNECTOR, SURFACE MOUNT, PLUG |
| 4000-03C02K999 | Transformers |
| 40327 | Small Signal Transistors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2STL1360 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LoVltg FastSwtch npn Pwr bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STL1360_09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching NPN power transistors |
| 2STL1525 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STL1525-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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