参数资料
型号: 2STL1525
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 5000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: ROHS COMPLIANT, TO-92L, 3 PIN
文件页数: 1/6页
文件大小: 130K
代理商: 2STL1525
Preliminary data
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July 2009
Doc ID 16054 Rev 1
1/6
6
2STL1525
Low voltage high performance NPN power transistor
Features
Very low collector-emitter saturation voltage
High current gain characteristic
Fast switching speed
Applications
Emergency lighting
LED
Motherboard and hard disk drive
Mobile equipment
Battery charger
Voltage regulation
Description
The device is a NPN transistor manufactured
using new “PB-HCD” (power bipolar high current
density) technology. The resulting transistor
shows exceptional high gain performances
coupled with very low saturation voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-92L
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Package
Packaging
2STL1525
TO-92L
Bulk
2STL1525-AP
2STL1525
TO-92L-AP
Ammopack
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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2STL2580 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STN1360 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STN1550 功能描述:两极晶体管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STN2340 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2