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参数资料
| 型号： | 2STN1360 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | 2STN1360 |
Revision history
2STD1360, 2STF1360, 2STN1360
10/11
Doc ID 11783 Rev 2
4
Revision history
Table 5.
Document revision history
Date
Revision
Changes
21-Nov-2005
1
Initial release
09-Oct-2009
2
Added 2STD1360T4 in TO-252 (DPAK) package
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STD1360T4 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2STF1550 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN5551 | 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STP535FP | 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SU424 | 5 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STN1550 | 功能描述:两极晶体管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2340 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2360 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2540 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Power Bipolar Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2540_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching PNP power bipolar transistor |
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