- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33509 > 2STN1360 (STMICROELECTRONICS) 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2STN1360 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | 2STN1360 |
Electrical characteristics
2STD1360, 2STF1360, 2STN1360
4/11
Doc ID 11783 Rev 2
Figure 4.
Collector emitter saturation voltage Figure 5.
Base emitter saturation voltage
Figure 6.
Resistive load switching on
Figure 7.
Resistive load switching off
Figure 8.
Capacitance
10
100
1000
0.1
1
10
100
VR (V)
C (pF)
CEB
CCB
f = 1 MHz
10
100
1000
0.1
1
10
100
VR (V)
C (pF)
CEB
CCB
f = 1 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STD1360T4 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2STF1550 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN5551 | 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STP535FP | 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SU424 | 5 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STN1550 | 功能描述:两极晶体管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2340 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2360 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2540 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Power Bipolar Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2540_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching PNP power bipolar transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。