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参数资料
| 型号： | 2STR2160 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | 2STR2160 |
Electrical characteristics
2STR2160
4/9
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE =0)
VCB = -60 V
-0.1
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC =0)
VEB = -5 V
-0.1
A
V(BR)CBO
Collector-base
breakdown voltage
(IE = 0)
IC = -100 A
-60
V
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulsed duration = 300
s, duty cycle ≤1.5%
Collector-emitter
breakdown voltage
(IB = 0)
IC = -10 mA
-60
V
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = -100 A
-5
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = -0.5 A
IB = -50 mA
IC = -1 A
IB = -100 mA
260
480
mV
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = -1 A
IB = -100 mA
1.3
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = -0.5 A
VCE = -2V
IC = -1 A
VCE = -2 V
IC = -2 A
VCE = -2 V
180
45
30
560
ton
toff
Resistive load
Turn-on time
Turn-off time
IC = -1.5 A
VCC = -10 V
IB1 = -IB2 = -150 mA
VBB(off)= 5 V
220
500
ns
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