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参数资料
| 型号： | 2STW1693 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 2STW1693 |
October 2008
Rev 2
1/9
9
2STW1693
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
Features
■ High breakdown voltage VCEO = -80 V
■ Complementary to 2STW4466
■ Typical ft = 20 MHz
■ Fully characterized at 125 oC
Applications
■ Audio power amplifier
Description
The device is a PNP transistor manufactured in
low voltage planar technology using base island
layout. The resulting transistor shows good gain
linearity coupled with low VCE(sat) behaviour.
Recommended for 40W to 70W high fidelity audio
frequency amplifier output stage.
Table 1.
Device summary
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-247
1
2
3
Order code
Marking
Package
Packaging
2STW1693
TO-247
Tube
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STX2360 | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2WX03101-1801-4F | PCB CONNECTOR |
| 2WX03101-1801-7F | PCB CONNECTOR |
| 4.000MHZHC49/T/50/7.5/10/50PF/ATF | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 4 MHz |
| 45.000MHZHC-50/3/3/10/30PF/ATF | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 45 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STW1693_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STW1695 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STW1695_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STW200 | 功能描述:达林顿晶体管 Comp Darlington PWR 80V 25A 130W Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2STW4466 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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