- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录50008 > 2STW1693 (STMICROELECTRONICS) 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2STW1693 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 2STW1693 |
2STW1693
Electrical characteristics
3/9
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C; unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = -100 V
-0.1
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = -6 V
-0.1
A
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = -1 mA
-6
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown
voltage (IE = 0)
IC = -100 A
-100
V
V(BR)CEO
Collector-emitter breakdown
voltage (IB = 0)
IC = -50 mA
-80
V
VCE(sat)
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤ 1.5%
Collector-emitter saturation
voltage
IC = -2 A
IB = -200 mA
IC = -6 A
IB = -600 mA
-0.6
-1.5
V
VBE
(1)
Base-emitter voltage
VCE = -4 V
IC = -6 A
-1.5
V
hFE
DC current gain
IC = -2 A
VCE = -4 V
50
120
fT
Transition frequency
IC = -0.5 A
VCE = -12 V
20
MHz
CCBO
Collector-base capacitance
(IE = 0)
VCB = -10 V
f = 1 MHz
80
pF
ton
tstg
tf
Resistive load
Turn-on time
Storage time
Fall time
IC = -3 A
VCC = -30 V
IB1 = -IB2 = -0.3 A
0.18
0.6
0.09
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STX2360 | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2WX03101-1801-4F | PCB CONNECTOR |
| 2WX03101-1801-7F | PCB CONNECTOR |
| 4.000MHZHC49/T/50/7.5/10/50PF/ATF | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 4 MHz |
| 45.000MHZHC-50/3/3/10/30PF/ATF | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 45 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STW1693_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STW1695 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STW1695_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STW200 | 功能描述:达林顿晶体管 Comp Darlington PWR 80V 25A 130W Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2STW4466 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。