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参数资料
| 型号： | 2STW200 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2STW200 |
2STW100, 2STW200
Package mechanical data
Doc ID 17235 Rev 1
5/7
Dim.
mm.
Min.
Typ
Max.
A4.855.15
A1
2.20
2.60
b
1.0
1.40
b1
2.0
2.40
b2
3.0
3.40
c0.40
0.80
D19.85
20.15
E
15.45
15.75
e5.45
L
14.20
14.80
L1
3.70
4.30
L2
18.50
P
3.55
3.65
R
4.50
5.50
S
5.50
TO-247 Mechanical data
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STW100 | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STW4468 | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA |
| 40-01-B4C-AJMB | Dome POWER LED |
| 40-05-015 | Package Outline: 48 lead 300 mil SSOP |
| 4000 | Toroidal Surface Mount Inductors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STW4466 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STW4466_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STW4468 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN Trans 140V VCEO 20 MHz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STW4468_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STX1360 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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