- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2V7002LT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2V7002LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | * |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7002L, 2V7002L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0, I D = 10 m Adc)
V (BR)DSS
60
?
?
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0, V DS = 60 Vdc)
Gate ? Body Leakage Current, Forward
(V GS = 20 Vdc)
Gate ? Body Leakage Current, Reverse
(V GS = ? 20 Vdc)
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
I DSS
I GSSF
I GSSR
?
?
?
?
?
?
?
?
1.0
500
100
? 100
m Adc
nAdc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
On ? State Drain Current
(V DS ≥ 2.0 V DS(on) , V GS = 10 Vdc)
Static Drain ? Source On ? State Voltage
(V GS = 10 Vdc, I D = 500 mAdc)
(V GS = 5.0 Vdc, I D = 50 mAdc)
V GS(th)
I D(on)
V DS(on)
1.0
500
?
?
?
?
?
?
2.5
?
3.75
0.375
Vdc
mA
Vdc
Static Drain ? Source On ? State Resistance
(V GS = 10 V, I D = 500 mAdc)
(V GS = 5.0 Vdc, I D = 50 mAdc)
Forward Transconductance
(V DS ≥ 2.0 V DS(on) , I D = 200 mAdc)
T C = 25 ° C
T C = 125 ° C
T C = 25 ° C
T C = 125 ° C
r DS(on)
g FS
?
?
?
?
80
?
?
?
?
?
7.5
13.5
7.5
13.5
?
Ohms
mS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0, f = 1.0 MHz)
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0, f = 1.0 MHz)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
?
?
?
50
25
5.0
pF
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 5)
Turn ? On Delay Time
Turn ? Off Delay Time
(V DD = 25 Vdc, I D ^ 500 mAdc,
R G = 25 W , R L = 50 W , V gen = 10 V)
t d(on)
t d(off)
?
?
?
?
20
40
ns
ns
BODY ? DRAIN DIODE RATINGS
Diode Forward On ? Voltage
(I S = 11.5 mAdc, V GS = 0 V)
Source Current Continuous
(Body Diode)
Source Current Pulsed
V SD
I S
I SM
?
?
?
?
?
?
? 1.5
? 115
? 800
Vdc
mAdc
mAdc
5. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2.0%.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2V7002WT1G | MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 |
| 30 PSI-G-4V | SENSOR 30PSIG 4V DUAL |
| 3003308 | SHIELDING TAPE COPPER 8MMX33M |
| 3003310 | SHIELDING TAPE COPPER 10MMX33M |
| 3003320 | SHIELDING TAPE COPPER 20MMX33M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2V7002LT3G | 功能描述:MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2V7002W | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N.Channel, SC.70 |
| 2V7002WT1G | 功能描述:MOSFET NFET 60V 115MA 7OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2V7BC | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes |
| 2V7BCA | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。