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参数资料
| 型号： | 2V7002WT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 310mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 700nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24.5pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 280mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2N7002W, 2V7002W
TYPICAL CHARACTERISTICS
30
5
C iss
4
T J = 25 ° C
I D = 0.2 A
20
10
C oss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
3
2
1
0
0
C rss
4
8
12
16
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
10
V GS = 0 V
1.0E ? 6
1.0E ? 7
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
T J = 125 ° C
0.1
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
1.0E ? 8
T J = 85 ° C
1.0E ? 9
T J = 25 ° C
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.0E ? 10
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
4
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