参数资料
型号: 30A02MH
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: MCPH3, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 28K
代理商: 30A02MH
30A02MH
No.7359-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10A, IE=0
--30
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--30
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10A, IC=0
--5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
35
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
125
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
25
ns
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC= --12V
VBE=5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
220
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=20IB1= --20IB2= --300mA
0
--200
--100
IC -- VCE
IT05049
IT05051
IT05050
--400
--300
--600
--500
--700
--200
--600
--400
--800
--1000
--100
--500
--300
--700
--900
0
IC -- VBE
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--200
--800
--500
--700
--400
--300
--600
--100
3
100
hFE -- IC
--1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
2
3
5
7
--100
--1000
2
3
5
1000
7
5
7
IB=0
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
--500
A
--1mA
--2mA
--5mA
--3mA
--7mA
--10mA
--15mA
--40mA
--50mA
--30mA
--20mA
--25mA
VCE= --2V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
IT05054
--1.0
VCE(sat) -- IC
23
5
7 --10
23
5
7
23
5
7
--100
--1000
--100
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
Ta=75
°C
--25
°C
25°
C
IC / IB=20
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
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PDF描述
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