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参数资料
| 型号： | 30KPA54AB |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | 30KPA54AB |
www.littelfuse.com
2007 Littelfuse
Specications are subject to change without notice.
101
Transient Voltage Suppression Diodes
Axial Leaded – 30000W
30KPA Series
0.1
1
10
100
1000
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
td-Pulse Width (Sec.)
P
p
m
-P
eak
P
u
lse
P
o
wer
(KW)
Ratings and Characteristic Curves (T
A=25°C unless otherwise noted)
I PPM
-P
eak
P
ulse
Cur
rent,
%
I
RSM
0
50
100
150
1.0
2.0
3.0
4.0
tr=10μsec
Peak Value
IPPM
2
TJ=25°C
Pulse Width(td) is dened
as the point where the peak
current decays to 50% of IPPM
10/1000μsec. Waveform
as dened by R.E.A
td
t-Time (ms)
Half Value
IPPM
( )
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A-Ambient temperature (C)
Peak
Pulse
Power
(P
PP
)or
Current
(I
PP
)
Derating
in
Percentage
%
1
100
10000
0
50
100
150
200
250
300
V
BR - Re ve rse Breakdow n Voltage (V)
C
j,
J
u
nc
ti
on
C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
p
f)
Tj=25C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
Bi-direct ional @ VR
Bi-direct ional V= OV
Uni-direct ional V= OV
Uni-direct ional @ VR
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
25
50
75
100 125 150 175 200
L = 0.375” (9.5mm)
Lead Lengths
Steady
State
Power
Dissipation
(W)
T
L- Le a d Te mpe ra ture (C)
Figure 1 - Peak Pulse Power Rating Curve
Figure 2 - Pulse Derating Curve
Figure 3 - Pulse Waveform
Figure 4 - Typical Junction Capacitance
Figure 5 - Steady State Power Derating Curve
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
1
10
100
Number of Cycles at 60 Hz
I FSM
,P
e
a
k
Forwa
rd
S
u
rge
C
u
rre
nt
(
A
)
Figure 6 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward
Surge Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3KP17CB | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 3KP45CA | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 3KP48B | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 3KP7.5CAB | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 3KP8.0CA | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 30KPA54A-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi-Power Diode Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 30KPA54AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:30000W, STAND-OFF VOLTAGE = 54V, ? 5%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 30KW 54V 5% UNIDIR P600 |
| 30KPA54A-HR | 功能描述:TVS DIODE 54VWM 91.4VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HR 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:54V 电压 - 击穿（最小值）:60.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:91.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:331.5A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:P600，轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
| 30KPA54A-HRA | 功能描述:TVS DIODE 54VWM 91.4VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HRA 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:54V 电压 - 击穿（最小值）:60.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:91.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:331.5A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:P600，轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
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