- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录248102 > 30KPA54AB 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 30KPA54AB |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | 30KPA54AB |
102
www.littelfuse.com
2007 Littelfuse
Specications are subject to change without notice.
Transient Voltage Suppression Diodes
30KPA Series
Axial Leaded – 30000W
Physical Specications
Weight
0.07oz., 2.5g
Case
P600 molded plastic body over
Polarity
Color band denotes the cathode except
Bipolar.
Terminal
Matte Tin axial leads, solderable per
Dimensions
Dimensions
Inches
Millimeters
Min
Max
Min
Max
A
1.000
-
25.40
-
B
0.340
0.360
8.60
9.10
C
0.048
0.052
1.22
1.32
D
0.340
0.360
8.60
9.10
P600
Environmental Specications
Temperature Cycle
Pressure Cooker
High Temp. Storage
HTRB
Thermal Shock
Soldering Parameters
T
e
mperature
(T
)
Time (t)
T
s(min)
T
s(max)
T
L
T
P
t
s
Preheat
t
L
t
p
Ramp-up
Critical Zone
T
L
to T
P
Ramp-down
t 25C to Peak
25C
Reow Condition
Pre Heat
-Temperature Min (T
s(min))
150°C
-Temperature Max (T
s(max))
200°C
-Time (min to max) (t
s)
Average ramp up rate (LiquidusTemp
(T
L) to peak
3°C/second max
T
S(max) to TL - Ramp-up Rate
3°C/second max
Reow
-Temperature (T
L) (Liquidus)
217°C
-Time (min to max) (t
s)
PeakTemperature (T
P)
260+0/-5 °C
Time within 5°C of actual peak
Temperature (t
p)
Ramp-down Rate
6°C/second max
Time 25°C to peakTemperature (T
P)
8 minutes Max.
Do not exceed
280°C
Flow/Wave Soldering (Solder Dipping)
Peak Temperature :
265OC
Dipping Time :
10 seconds
Soldering :
1 time
C
B
A
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3KP17CB | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 3KP45CA | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 3KP48B | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 3KP7.5CAB | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 3KP8.0CA | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 30KPA54A-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi-Power Diode Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 30KPA54AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:30000W, STAND-OFF VOLTAGE = 54V, ? 5%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 30KW 54V 5% UNIDIR P600 |
| 30KPA54A-HR | 功能描述:TVS DIODE 54VWM 91.4VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HR 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:54V 电压 - 击穿（最小值）:60.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:91.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:331.5A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:P600，轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
| 30KPA54A-HRA | 功能描述:TVS DIODE 54VWM 91.4VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HRA 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:54V 电压 - 击穿（最小值）:60.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:91.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:331.5A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:P600，轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
| 30KPA54-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi-Power Diode Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。