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参数资料
| 型号： | 3LN01SP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SPA, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 3LN01SP |
3LN01SP
No.6545-3/4
0.01
0.6
0.5
0.8
0.7
0.9
1.0
1.1
1.2
0.1
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
VGS=0
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.0
10
7
5
3
2
7
5
3
2
100
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS=10V
ID=150mA
0.01
10
0.1
23
5
7
2
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
VDD=15V
VGS=4V
td(on)
tr
tf
td(off)
--60
0
--40
--20
1
020
2
40
60
3
4
5
6
7
80
100
120
140
160
I D
=40mA,
V GS
=2.5V
ID=80mA,
VGS
=4.0V
0.01
0.1
23
5
7
2
3
0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
1.0
5
VDS=10V
75°
C
Ta= -
-25°
C
25°C
0.01
0.1
23
5
7
2
3
10
1.0
7
5
3
2
5
VGS=2.5V
0.001
1.0
0.01
23
5
7
2
3
100
10
7
5
3
2
7
5
3
2
5
VGS=1.5V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
Diode Forward Voltage, VSD -- V
F
orw
ard
Current,
I
F
-
A
IF -- VSD
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
IT00037
IT00038
Drain Current, ID -- A
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
yfs
-
S
yfs -- ID
Ambient Temperature, Ta --
°C
RDS(on) -- Ta
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
IT00035
IT00036
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
IT00033
IT00034
VGS -- Qg
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
IT00039
IT00040
Total Gate Charge, Qg -- nC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3MN11 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, DPDT, MOMENTARY, 3.55mm, PANEL MOUNT |
| 3N245 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 3N250-E4/72 | 1.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 3N259-E4/22 | 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 3P/14VT | RCA, CONNECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 3LN01SS | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 3LN01SS_07 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 3LN01SS_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 3LN01SS-TL-E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 3LN01SS-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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