参数资料
型号: 3N259-E4/22
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN
文件页数: 1/4页
文件大小: 84K
代理商: 3N259-E4/22
Vishay General Semiconductor
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259
Document Number 88532
10-Nov-06
www.vishay.com
1
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
FEATURES
UL Recognition file number E54214
Ideal for printed circuit board
High surge current capability
High case dielectric strength
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
General
purpose
use
in
ac-to-dc
bridge
full
wave
rectification
for
Switching
Power
Supply,
Home
Appliances,
Office
Equipment,
and
Telecommunication applications.
MECHANICAL DATA
Case: KBPM
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Silver
plated
leads,
solderable
per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E4 suffix for commercial grade
Polarity: As marked on body
Case Style KBPM
~
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
IF(AV)
2 A
VRRM
50 V to 1000 V
IFSM
60 A
IR
5 A
VF
1.1 V
Tj max.
150 °C
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
2KBP
005M
2KBP
01M
2KBP
02M
2KBP
04M
2KBP
06M
2KBP
08M
2KBP
10M
UNIT
3N253
3N254
3N255
3N256
3N257
3N258
3N259
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
50
100
200
400
600
800
1000
V
Maximum RMS voltage
VRMS
35
70
140
280
420
560
700
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
50
100
200
400
600
800
1000
V
Max. average forward output rectified
current at TA = 55 °C
IF(AV)
2.0
A
Peak forward surge current single half
sine-wave superimposed on rated load
IFSM
60
A
Rating for fusing (t < 8.3 ms)
I2t
15
A2sec
Operating junction and storage
temperature range
TJ, TSTG
- 55 to + 165
°C
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3N262TX 功能描述:OPTOISOLATOR HERMETIC SEAL TO-72 RoHS:否 类别:隔离器 >> 光隔离器 - 晶体管,光电输出 系列:- 标准包装:1,500 系列:NEPOC 通道数:1 输入类型:DC 电压 - 隔离:2500Vrms 电流传输比(最小值):20% @ 16mA 电流传输比(最大):- 输出电压:7V 电流 - 输出 / 通道:8mA 电流 - DC 正向(If):25mA Vce饱和(最大):- 输出类型:有 Vcc 的晶体管 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:带卷 (TR)