参数资料
型号: 3N259-E4/22
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 84K
代理商: 3N259-E4/22
Document Number 88532
10-Nov-06
www.vishay.com
3
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259
Vishay General Semiconductor
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
20
Tj = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
Tj = 100 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
0.1
1
10
100
1
10
100
Tj = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.125 x 45o
(3.2)
0.600 (15.24)
0.560 (14.22)
0.034 (0.86)
0.028 (0.76)
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.060
(1.52)
Polarity shown on front side of case: positive lead by beveled corner
0.460 (11.68)
0.50 (12.7) Min.
0.420 (10.67)
0.500 (12.70)
0.460 (11.68)
0.60
(15.2)
MIN.
DIA.
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
Case Style KBPM
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