参数资料
型号: 3LP01C-TB-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 100MA CP
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10.4 欧姆 @ 50mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7.5pF @ 10V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: 3-CP
包装: 带卷 (TR)
3LP01C
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
1000
7
5
SW Time -- ID
VDD= --15V
VGS= --4V
3
--0.1
7
5
3
2
100
7
5
td(off)
tf
tr
3
2
2
td(on)
--0.01
10
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--0.01
2
3
5
7
--0.1
100
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT00085
f=1MHz
--10
--9
VDS= --10V
ID= --0.1A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT00086
--8
3
--7
2
--6
10
--5
7
5
3
2
1.0
Ciss
Coss
Crss
--4
--3
--2
--1
0
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.30
Drain to Source Voltage, VDS -- V
PD -- Ta
IT00087
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00088
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT02382
No.6645-4/6
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