参数资料
型号: 3LP01C-TB-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 100MA CP
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10.4 欧姆 @ 50mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7.5pF @ 10V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: 3-CP
包装: 带卷 (TR)
3LP01C
mm
Outline Drawing
3LP01C-TB-E, 3LP01C-TB-H
Mass (g) Unit
0.013
* For reference
Land Pattern Example
0.8
Unit: mm
0.95
0.95
No.6645-5/6
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PDF描述
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3LP01M-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
3LP01M-TL-HX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSF P CH 30V 100MA MCP