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参数资料
| 型号： | 4AC12 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 4AC12 |
4AC12
4
100,000
30,000
10,000
3,000
1,000
300
100
0.03
0.1
1.0
DC
current
transfer
ratio
h
FE
0.3
3.0
Collector current IC (A)
VCE = 2 V
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
25
°C
Ta
= 75
°C
–25
°C
Collector to Emitter Saturatiion Voltage
vs. Collector Current
10
3
1.0
0.3
0.1
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
0.03
0.3
Collector current IC (A)
1.0
0.1
3.0
Ta = –25
°C
IC = 1000 IB
25
°C
75
°C
Base to Emitter Saturatiion Voltage
vs. Collector Current
10
3.0
1.0
0.3
0.1
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
0.03
0.3
Collector current IC (A)
1.0
0.1
3.0
Ta = –25
°C
IC = 1000 IB
25
°C
75
°C
VCE = 2 V
Typical Transfer Characteristics
Collector
current
I
C
(A)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.4
0.8
Base to emitter voltage VBE (V)
1.2
2.0
1.6
–25
°C
25
°C
Ta = 75
°C
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