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参数资料
| 型号： | 4AM15 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N沟道/P沟道功率MOSFET阵列) |
| 中文描述： | 硅N-Channel/P-Channel功率MOS FET阵列（不适用沟道/页沟道功率MOSFET的阵列） |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 4AM15 |
4AM15
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Ratings
Item
Symbol
Nch
Pch
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
200
–200
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
4–4
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
16
–16
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
4–4
A
Channel dissipation
Pch (Tc = 25°C)*
2
32
W
Pch*
2
4.0
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes 1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
2. 4 Device Operation
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