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参数资料
型号： 4N25-X007
厂商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分类： 电容
英文描述： Tantalum Chip Capacitor
中文描述： 钽芯片电容器
文件页数： 4/9页
文件大小： 157K
代理商： 4N25-X007
www.vishay.com
4
Document Number 83725
Rev. 1.4, 26-Jan-05
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
Vishay Semiconductors
Switching Characteristics
Typical Characteristics (Tamb = 25
°C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Rise and fall times
VCE = 10 V, IF = 10 mA, RL = 100
tr, tf
2.0
s
Figure 1. Forward Voltage vs. Forward Current
Figure 2. Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs. LED
Current
i4n25_01
100
10
1
.1
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
IF - Forward Current - mA
V
F
-
F
orward
Voltage
-
V
TA =–55°C
TA =25°C
TA =85°C
i4n25_02
Normalized to:
0.0
0.5
1.0
1.5
0
1
10
100
IF - LED Current - mA
NCTR
NCTR(SAT)
NCTR
-
Normlized
CTR
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
TA=25°C
Figure 3. Normalized Non-saturated and Saturated CTR vs. LED
Current
Figure 4. Normalized Non-saturated and saturated CTR vs. LED
Current
i4n25_03
100
10
1
.1
0.0
0.5
1.0
1.5
IF- LED Current - mA
NCTR
-
Normalized
CTR
Normalized to:
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
NCTR
NCTR(SAT)
TA=50°C
i4n25_04
100
10
1
.1
0.0
0.5
1.0
1.5
IF - LED Current - mA
NCTR
-
Normalized
CTR
Normalized to:
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
NCTR
NCTR(SAT)
TA=70°C
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PDF描述
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参数描述
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4N25-X009 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N25-X009T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N25-X016 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N25-X017 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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