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参数资料
| 型号： | 4N32VM |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | General Purpose 6-Pin Photodarlington Optocoupler |
| 中文描述： | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | DIP-6 |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | 4N32VM |
4N29M,
4N30M,
4N32M,
4N33M,
H11B1M,
TIL113M
—
General
Purpose
6-Pin
Photodarlington
Optocoupler
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
4NXXM, H11B1M, TIL113M Rev. 1.0.3
September 2009
4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, TIL113M
General Purpose 6-Pin Photodarlington Optocoupler
Features
■ High sensitivity to low input drive current
■ Meets or exceeds all JEDEC Registered
Specications
■ UL, C-UL approved, File #E90700, Volume 2
■ IEC 60747-5-2 approved (ordering option V)
Applications
■ Low power logic circuits
■ Telecommunications equipment
■ Portable electronics
■ Solid state relays
■ Interfacing coupling systems of different potentials
and impedances
Description
The 4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M and
TIL113M have a gallium arsenide infrared emitter
optically coupled to a silicon planar photodarlington.
Schematic
EMITTER
COLLECTOR
1
2
3
ANODE
CATHODE
4
5
6 BASE
N/C
6
1
6
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N29M | 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: DIP-W; No of Pins: 6; Container: Bulk |
| 4N29SM | 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: SMDIP-W; No of Pins: 6; Container: Bulk |
| 4N29SR2M | 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: SMDIP-W; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel |
| 4N29TM | 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: DIP-W; No of Pins: 6; Container: Bulk |
| 4N30M | 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: DIP-W; No of Pins: 6; Container: Bulk |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N32W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X000 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Single CTR >500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X001 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X006 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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