参数资料
型号: 4N33TVM
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 4/10页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER PHOTODARL 6-DIP
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 1500Vrms
电流传输比(最小值): 500% @ 10mA
输出电压: 30V
电流 - 输出 / 通道: 150mA
电流 - DC 正向(If): 80mA
Vce饱和(最大): 1V
输出类型: 有基极的达林顿晶体管
安装类型: 通孔
封装/外壳: 6-DIP(0.400",10.16mm)
包装: 管件
Electrical Characteristics (T A = 25°C Unless otherwise speci?ed.) (Continued)
Isolation Characteristics
Symbol
V ISO
Characteristic
Input-Output Isolation Voltage
(5)
Test Conditions
f = 60Hz, t = 1 sec.
Device
All
Min.
7500
Typ.
Max.
Units
V AC PEAK
VDC
VDC
4N32M*
4N33M*
2500
1500
V
R ISO
Isolation Resistance (5)
V I-O = 500VDC
All
10 11
?
C ISO
Isolation Capacitance
(5)
V I-O = ?, f = 1MHz
All
0.8
pF
* Indicates JEDEC registered data.
Notes:
1. The current transfer ratio(I C /I F ) is the ratio of the detector collector current to the LED input current.
2. Pulse test: pulse width = 300μs, duty cycle ≤ 2.0% .
3. I F adjusted to I C = 2.0mA and I C = 0.7mA rms.
4. The frequency at which I C is 3dB down from the 1kHz value.
5. For this test, LED pins 1 and 2 are common, and phototransistor pins 4, 5 and 6 are common.
Safety and Insulation Ratings
As per IEC 60747-5-2, this optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety limit data.
Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Installation Classi?cations per DIN VDE 0110/1.89
Table 1
For Rated Main Voltage < 150Vrms
For Rated Main voltage < 300Vrms
Climatic Classi?cation
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)
I-IV
I-IV
55/100/21
2
CTI
Comparative Tracking Index
175
V PR
Input to Output Test Voltage, Method b,
1594
V peak
V IORM x 1.875 = V PR , 100% Production Test
with tm = 1 sec, Partial Discharge < 5pC
Input to Output Test Voltage, Method a,
V IORM x 1.5 = V PR , Type and Sample Test
with tm = 60 sec, Partial Discharge < 5pC
1275
V peak
V IORM
V IOTM
RIO
Max. Working Insulation Voltage
Highest Allowable Over Voltage
External Creepage
External Clearance
Insulation Thickness
Insulation Resistance at Ts, V IO = 500V
850
6000
7
7
0.5
10 9
V peak
V peak
mm
mm
mm
?
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4NXXM, H11B1M, TIL113M Rev. 1.0.3
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
591637-2 BRACKET GROUNDING MODULE
4N33VM PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP
4310R-101-203LF RES ARRAY 20K OHM 9 RES 10-SIP
4N32TVM PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP
KX14-80K8DE CONN RCPT 0.8MM 80POS SMD GOLD
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参数描述
4N33V 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N33-V 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N33VM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N33W 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N33-X00 功能描述:OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 零件状态:停產 通道数:1 电压 - 隔离:5300Vrms 电流传输比(最小值):500% @ 10mA 电流传输比(最大值):- 打开 / 关闭时间(典型值):5μs,100μs(最大) 上升/下降时间(典型值):- 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压 - 输出(最大值):30V 电流 - 输出/通道:- 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.25V 电流 - DC 正向(If):60mA Vce 饱和值(最大值):1V(标准) 工作温度:-55°C ~ 100°C 标准包装:1,000