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参数资料
型号： 4N35X001
厂商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类： 光电耦合器
英文描述： 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封装： PLASTIC, DIP-6
文件页数： 3/6页
文件大小： 298K
代理商： 4N35X001
2000 Inneon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA
Phototransistor, Industry Standard
www.inneon.com/opto 1-888-Inneon (1-888-463-4636)
OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Regensburg, Germany
www.osram-os.com +49-941-202-7178
3
March 27, 2000-00
4N35/36/37/38—Characteristics TA=25°C
* Indicates JEDEC registered value
H11A1 through H11A5—Characteristics TA=25°C
Emitter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
Forward Voltage*
VF
0.9
1.3
1.5
1.7
V
IF=10 mA
IF=10 mA, TA=–55°C
Reverse Current*
IR
0.1
10
A
VR=6.0 V
Capacitance
CO
25
—
pF
VR=0, f=1.0 MHz
Detector
Breakdown Voltage, Collector-Emitter*
4N35/36/37
BVCEO
30
——
V
IC=1.0 mA
4N38
80
——
Breakdown Voltage, Emitter-Collector*
BVECO
7.0
——
V
IE=100 A
Breakdown Voltage, Collector-Base*
4N35/36/37
BVCBO
70
——
V
IC=100 A, IB=1.0 A
4N38
80
———
Leakage Current, Collector-Emitter*
4N35/36/37
ICEO
—
5.0
50
nA
VCE=10 V, IF=0
4N38
——
50
VCE=60 V, IF=0
Leakage Current, Collector-Emitter*
4N35/36/37
ICEO
——
500
A
VCE=30 V, IF=0, TA=100°C
4N38
—
6.0
—
VCE=60 V, IF=0, TA=100°C
Capacitance, Collector-Emitter
CCE
—
6.0
—
pF
VCE=0
Package
DC Current Transfer Ratio*
4N35/36/37
CTR
100
——
%
VCE=10 V, IF=10 mA,
4N38
20
——
VCE=1.0 V, IF=20 mA
DC Current Transfer Ratio*
4N35/36/37
CTR
40
50
—
%
VCE=10 V, IF=10 mA,
TA=–55 to 100°C
4N38
——
30
——
Resistance, Input to Output*
RIO
1011
——
VIO=500 V
Coupling Capacitance
CIO
—
0.5
—
pF
f=1.0 MHz
Switching Time*
tON, tOFF
—
10
—
s
IC=2.0 mA, RL=100 , VCC=10 V
Emitter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
Forward Voltage
H11A1–H11A4
VF
—
1.1
1.5
V
IF=10 mA
H11A5
—
1.1
1.7
Reverse Current
IR
——
10
A
VR=3.0 V
Capacitance
C0
—
50
—
pF
VR=0, f=1.0 MHz
Detector
Breakdown Voltage, Collector-Emitter
BVCEO
30
——
V
IC=1.0 mA, IF=0 mA
Breakdown Voltage, Emitter-Collector
BVECO
7.0
——
V
IE=100 A, IF=0 mA
Breakdown Voltage, Collector-Base
BVCBO
70
——
V
IC=10 A, IF=0 mA
Leakage Current, Collector-Emitter
ICEO
—
5.0
50
nA
VCE=10 V, IF=0 mA
Capacitance, Collector-Emitter
CCE
—
6.0
—
pF
VCE=0
Package
DC Current Transfer Ratio
H11A1
CTR
50
——
%
VCE=10 V, IF=10 mA
H11A2/3
20
——
H11A4
10
——
H11A5
30
——
Saturation Voltage, Collector-Emitter
VCEsat
——
0.4
V
ICE=0.5 mA, IF=10 mA
Capacitance, Input to Output
CIO
—
0.5
—
pF
—
Switching Time
tON, tOFF
—
3.0
—
s
IC=2.0 mA, RL=100 , VCE=10 V
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4N35-X007 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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4N35-X009 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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