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参数资料
| 型号： | 4N35X001 |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | PLASTIC, DIP-6 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 298K |
| 代理商： | 4N35X001 |
2000 Inneon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA
Phototransistor, Industry Standard
www.inneon.com/opto 1-888-Inneon (1-888-463-4636)
OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Regensburg, Germany
www.osram-os.com +49-941-202-7178
6
March 27, 2000-00
Figure 15. Collector-emitter Leakage Current vs. Temp.
Figure 16. Normalized CTRcb vs. LED Current and Temp.
Figure 17. Normalized Photocurrent vs. IF and Temp.
100
80
60
40
20
0
–20
10
–2
–1
0
1
2
3
4
5
TA - Ambient Temperature - °C
Iceo
-
Collector-Emitter
-
nA
Typical
Vce = 10 V
Normalized to:
0.0
0.5
1.0
1.5
25
°C
50
°C
70
°C
IF - LED Current - mA
NCTRcb
-
Normalized
CTRcb
.1
1
10
100
Vcb=9.3 V, IF=10 mA, TA=25°C
Normalized to:
0.01
0.1
1
10
IF - LED Current - mA
Normalized
Photocurrent
.1
1
10
100
IF=10 mA, TA=25°C
Nib, TA=–20°C
Nib, TA=25°C
Nib, TA= 50°C
Nib, TA=70°C
Figure 18. Normalized Non-saturated HFE vs. Base
Current and Temperature
Figure 19. Normalized HFE vs. Base Current and Temp.
Figure 20. Propagation Delay vs. Collector Load Resistor
Normalized to:
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Ib - Base Current -
A
1
10
100
1000
Ib=20
A, Vce=10 V, TA=25°C
25
°C
50
°C
70
°C
–20
°C
NHFE
-
Normalized
HFE
0.0
0.5
1.0
1.5
25
°C
–20
°C
50
°C
70
°C
NHFE(sat)
-
Normalized
Saturated
HFE
1
10
100
1000
Vce=10 V, Ib=20
A
TA=25°C
Vce=0.4 V
Ib - Base Current -
A
Normalized to:
1
10
100
1000
RL - Collector Load Resistor - k
t PLH
-
Propagation
Delay
-
s
2.5
2.0
1.5
1.0
t PHL
-
Propagation
Delay
-
s
.1
1
10
100
IF=10 mA, TA=25°C
VCC=5.0 V, Vth=1.5 V
tPLH
tPHL
Figure 21. Switching Timing
I
F
tR
=1.5 V
V
O
tD
tS
tF
tPHL
tPLH
VTH
Figure 22. Switching Schematic
VCC = 5.0 V
F=10 KHz,
DF=50%
R L
VO
IF=10 mA
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 4N35-X006 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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