参数资料
型号: 5082-2830
厂商: ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 射频混频器
英文描述: SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, L BAND, MIXER DIODE
封装: 809, 4 PIN
文件页数: 1/1页
文件大小: 13K
代理商: 5082-2830
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1202 FAX (818) 765-3004
1/1
Specifications are subject to change without
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
NONE
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MINIMUM
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
VF
IF = 1 mA
400
mV
V
F
IR = 5.0 mA
2
20
mV
CT
VR = 0 V
Diagonal
f = 1.0 MHz
Adjecent
0.50
0.67
pF
C
T
VR = 0
f = 1.0 MHz
0.20
pF
RD
IF = 5.0 mA
12
SCHOTTKY BARRIER DUAL DIODE
5082-2830
PACKAGE STYLE 809
TOP VIEW
DESCRIPTION:
The
ASI 5082-2830 is a medium
Barrier Schottky Dual Diode Designed
for Single Balanced Mixer, Phase
Detector and Modulator Applications
up to 2.0 GHz.
FEATURES INCLUDE:
Medium Barrier
Excellent Matching
Rugged design
MAXIMUM RATINGS
IF
100 mA
PDISS
75 mW @ TC = 25 °C
per Junction
TJ
-65 °C to +175 °C
TSTG
-65 °C to +175 °C
TSOLDER
+220 °C for 10 seconds
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PDF描述
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5082-2837 SILICON, MIXER DIODE
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5082-2900 SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE
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参数描述
5082-2835 功能描述:肖特基二极管与整流器 8 VBR 1 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
5082-2835#T25 功能描述:肖特基二极管与整流器 8 VBR 1 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
5082-2835#T50 功能描述:肖特基二极管与整流器 8 VBR 1 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
5082-2835 制造商:Avago Technologies 功能描述:DIODE RF SCHOTTKY
5082-2835_1008 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE