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参数资料
| 型号： | 5962H9215315QMA |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP28 |
| 封装： | 0.600 X 1.400 INCH, 2.54 MM PITCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | 5962H9215315QMA |
10
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (Pre-Radiation)
(TC = 25°C)
Notes:
1. E1 = VDR or E2 = VSS, all other inputs = VDR or VSS.
2. Guaranteed but not tested.
SYMBOL
PARAMETER
MINIMUM
MAXIMUM
VDD @
2.5V
UNIT
VDR
VDD for data retention
2.5
--
V
IDDR
1
Data retention current
--
.4
mA
tEFR
1,2
Chip deselect to data retention time
0
ns
tR
1,2
Operation recovery time
tAVAV
ns
VDD
E1
DATA RETENTION MODE
tR
4.5V
VDR > 2.5V
Figure 5. Low VDD Data Retention Waveform
tEFR
E2
VDR
VSS
VIN < 1.5V CMOS
VIN > 3.5V CMOS
Notes:
1. 50pF including scope probe and test socket.
2. Measurement of data output occurs at the low to high or high to low transition mid-point
(i.e., CMOS input = VDD/2).
90%
Figure 6. AC Test Loads and Input Waveforms
Input Pulses
10%
< 5ns
2.8V
300 ohms
50pF
CMOS
0.5V
VDD-0.05V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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