参数资料
型号: 5LN01C-TB-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.8 欧姆 @ 50mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.57nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6.6pF @ 10V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: 3-CP
包装: 带卷 (TR)
5LN01C
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
1000
7
5
SW Time -- ID
VDD=25V
VGS=4V
3
0.1
7
2
td(off)
tf
100
5
7
3
2
0.01
5
3
2
10
tr
td(on)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0.01
2
3
5
7
0.1
100
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT00062
f=1MHz
10
9
VDS=10V
ID=100mA
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT00063
8
3
7
2
6
10
5
7
5
3
2
Ciss
Coss
4
3
2
1.0
Crss
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.3
Drain to Source Voltage, VDS -- V
PD -- Ta
IT00064
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00065
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT02006
No.6555-4/6
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PDF描述
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参数描述
5LN01C-TB-H 功能描述:MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
5LN01M 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications
5LN01M_06 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
5LN01M_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
5LN01M-TL-E 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel