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参数资料
| 型号： | 63CPQ080G |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 封装： | PLASTIC, TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | 63CPQ080G |
63CPQ100G
Preliminary Data Sheet PD-20820 09/04
3
Fig. 1 - Max. Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z
thJC Characteristics
Forward Voltage Drop - V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-I
F(A)
Reverse
Current
-I
R
(mA)
Reverse Voltage - V
R (V)
Reverse Voltage - V
R (V)
Junction
Capacitance
-C
T
(pF)
t1, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
1
10
100
1000
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T = 175C
T = 125C
T = 25C
J
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
120
T = 25C
J
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
J
DM
thJC
C
2
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
20406080
100
150C
125C
100C
75C
50C
25C
T = 175C
J
Fig. 2 - Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CPQ100-C | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| 63CPQ080 | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| 63CPQ080-G | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| 63CPQ100 | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| 63CPQ100-G | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 63CPQ100G-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CPQ100GPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
| 63CPQ100GPBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
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