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参数资料
| 型号： | 63CPQ100G |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 63CPQ100G |
Document Number: 94243
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 13-Aug-08
3
63CPQ100GPbF
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
1
100
10
1000
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
VFM - Forward Voltage Drop (V)
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
T
J = 175 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
0.001
1
10
100
0.1
0.01
1000
I R
-Reverse
Current
(mA)
VR - Reverse Voltage (V)
80
100
20
40
60
0
T
J = 175 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 75 °C
T
J = 50 °C
T
J = 25 °C
100
1000
10 000
C
T
-Junction
Capacitance
(pF)
VR - Reverse Voltage (V)
40
20
60
80
100
120
0
T
J = 25 °C
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
100
10
Single pulse
(thermal resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CPQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| 63CPQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 63CPQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 63CPQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 63CPQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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