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参数资料
| 型号： | 63CPQ100G |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 63CPQ100G |
Document Number: 95223
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Revision: 01-Dec-10
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
1
TO-247
Outline Dimensions
Vishay Semiconductors
DIMENSIONS in millimeters and inches
Notes
(1) Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994
(2) Contour of slot optional
(3) Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at
the outermost extremes of the plastic body
(4) Thermal pad contour optional with dimensions D1 and E1
(5) Lead finish uncontrolled in L1
(6) P to have a maximum draft angle of 1.5 to the top of the part with a maximum hole diameter of 3.91 mm (0.154")
(7) Outline conforms to JEDEC outline TO-247 with exception of dimension c
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
NOTES
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
NOTES
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
A
4.65
5.31
0.183
0.209
D2
0.51
1.30
0.020
0.051
A1
2.21
2.59
0.087
0.102
E
15.29
15.87
0.602
0.625
3
A2
1.50
2.49
0.059
0.098
E1
13.72
-
0.540
-
b
0.99
1.40
0.039
0.055
e
5.46 BSC
0.215 BSC
b1
0.99
1.35
0.039
0.053
FK
2.54
0.010
b2
1.65
2.39
0.065
0.094
L
14.20
16.10
0.559
0.634
b3
1.65
2.37
0.065
0.094
L1
3.71
4.29
0.146
0.169
b4
2.59
3.43
0.102
0.135
N
7.62 BSC
3
b5
2.59
3.38
0.102
0.133
FP
3.56
3.66
0.14
0.144
c
0.38
0.86
0.015
0.034
FP1
-
6.98
-
0.275
c1
0.38
0.76
0.015
0.030
Q
5.31
5.69
0.209
0.224
D
19.71
20.70
0.776
0.815
3
R
4.52
5.49
1.78
0.216
D1
13.08
-
0.515
-
4
S
5.51 BSC
0.217 BSC
0.10
A
C
MM
E
E/2
(2)
(3)
(4)
(2) R/2
B
2 x R
S
D
See view B
2 x e
b4
3 x b
2 x b2
L
C
(5) L1
1
2
3
D
A
A2
A
A1
C
K
B
D
MM
A
(6) P
(Datum B)
FP1
D1 (4)
4
E1
0.01
B
D
MM
View A - A
Thermal pad
D2
DD E
E
C
View B
(b1, b3, b5)
Base metal
c1
(b, b2, b4)
Section C - C, D - D, E - E
(c)
Planting
Lead assignments
Diodes
1. - Anode/open
2. - Cathode
3. - Anode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CPQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| 63CPQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 63CPQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 63CPQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 63CPQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 63CPQ100G-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CPQ100GPBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
| 63CPQ100GPBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CPQ100-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CPQ100PBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO247AC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
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