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参数资料
| 型号： | 63CTQ100GPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 63CTQ100GPBF |
Document Number: 94508
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 12-Sep-08
3
63CTQ100GPbF
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
Forward Voltage Drop - V
FM
(V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
1
10
100
1000
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
Tj = 175C
Tj = 125C
Tj = 25C
Reverse Voltage - V
R (V)
Reverse
Current
-
I
R
(mA)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
204060
80
100
125C
100C
75C
50C
25C
Tj = 175C
150C
Reverse Voltage - V
R (V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(
p
F
)
100
1000
0
2040
6080
100
Tj = 25C
t1, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
2
t
1
t
P
DM
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PDF描述 |
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