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参数资料
| 型号： | 63CTQ100GPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 63CTQ100GPBF |
Document Number: 95222
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Revision: 08-Mar-11
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
1
TO-220AB
Outline Dimensions
Vishay Semiconductors
DIMENSIONS in millimeters and inches
Notes
(1) Dimensioning and tolerancing as per ASME Y14.5M-1994
(2) Lead dimension and finish uncontrolled in L1
(3) Dimension D, D1 and E do not include mold flash. Mold flash
shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions
are measured at the outermost extremes of the plastic body
(4) Dimension b1, b3 and c1 apply to base metal only
(5) Controlling dimensions: inches
(6) Thermal pad contour optional within dimensions E, H1, D2 and
E1
(7) Dimensions E2 x H1 define a zone where stamping and
singulation irregularities are allowed
(8) Outline conforms to JEDEC TO-220, except A2 (maximum) and
D2 (minimum) where dimensions are derived from the actual
package outline
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
NOTES
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
NOTES
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
A
4.25
4.65
0.167
0.183
E
10.11
10.51
0.398
0.414
3, 6
A1
1.14
1.40
0.045
0.055
E1
6.86
8.89
0.270
0.350
6
A2
2.56
2.92
0.101
0.115
E2
-
0.76
-
0.030
7
b
0.69
1.01
0.027
0.040
e
2.41
2.67
0.095
0.105
b1
0.38
0.97
0.015
0.038
4
e1
4.88
5.28
0.192
0.208
b2
1.20
1.73
0.047
0.068
H1
6.09
6.48
0.240
0.255
6, 7
b3
1.14
1.73
0.045
0.068
4
L
13.52
14.02
0.532
0.552
c
0.36
0.61
0.014
0.024
L1
3.32
3.82
0.131
0.150
2
c1
0.36
0.56
0.014
0.022
4
P
3.54
3.73
0.139
0.147
D
14.85
15.25
0.585
0.600
3
Q
2.60
3.00
0.102
0.118
D1
8.38
9.02
0.330
0.355
90° to 93°
D2
11.68
12.88
0.460
0.507
6
13
2
D
D1
H1
Q
13
2
C
D
3 x b2
3 x b
(b, b2)
b1, b3
(H1)
D2
Detail B
C
A
B
L
e1
Lead tip
E
E2
P
0.014
A
B
M
0.015
A
B
MM
Seating
plane
c
A2
A1
A
Lead assignments
Diodes
1. - Anode/open
2. - Cathode
3. - Anode
Conforms to JEDEC outline TO-220AB
(6)
(7)
(6)
(7)
e
2 x
L1 (2)
Detail B
Section C - C and D - D
View A - A
Base metal
Plating
(4)
c1
c
(6)
Thermal pad
(E)
E1
(6)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CTQ100G | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100GPBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100G | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 63CTQ100GPBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CTQ100-N3 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CTQ100PBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| 63CTQ100PBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
| 63CV22FS | 制造商:SUN Electronic Industries Corporation 功能描述:Cap Aluminum 22uF 63V 20% (6.3 X 7.7mm) SMD 49mA 1000h 105 C |
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