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参数资料
| 型号： | 6A10G-AP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, R-6, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 814K |
| 代理商： | 6A10G-AP |
6A05G
THRU
6A10G
6 Amp Glass
Passivated
Junction Rectifier
50 to 1000 Volts
R-6
Features
High Surge Current Capability
and Low Leakage
High Current Operation 6.0 Ampere @ TA=75℃
Glass Passivated Junction In R-6 Package
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.340
.360
8.60
9.10
B
.340
.360
8.60
9.10
C
.048
.052
1.20
1.30
D
1.000
---
25.40
---
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55℃ to +150℃
Storage Temperature: -55℃ to +175℃
MCC
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
6A05G
50V
35V
50V
6A1G
100V
70V
100V
6A2G
200V
140V
200V
6A4G
400V
280V
400V
6A6G
600V
420V
600V
6A8G
800V
560V
800V
6A10G
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25
°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
6.0A
TA =75℃
Peak Forward Surge
Current
IFSM
400A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
1.0V
IFM = 6.0A;
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
10
A
TJ = 25℃
Typical Junction
Capacitance
CJ
150pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
Typical Thermal
Resistance
RθJA
RθJL
20.0℃/W
4.0℃/W
A
B
D
C
Cathode
Mark
Co
mponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 4
2008/01/01
TM
Micro Commercial Components
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
Marking : Cathode band and type number
www.mccsemi.com
1 of 4
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6A6G-TP | 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A4G-BP | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A4G-TP | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A10G-BP | 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A1G-BP | 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 6A10GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:700 |
| 6A10GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400 |
| 6A10GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 6A10G-RE6 | 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述: |
| 6A10M | 制造商:CHONGQING 制造商全称:CHONGQING 功能描述:TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER |
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