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参数资料
| 型号： | 6A10G-AP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, R-6, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 814K |
| 代理商： | 6A10G-AP |
1.3
1.1
1.5
Average Forward Rectified Current - Amperes versus
Ambient Temperature -℃
Figure 2
Forward Derating Curve
0
175
50
75
100
125
0
2
4
6
Amps
℃
150
8
10
12
Maximum Forward Voltage -Volts
Maximum Forward Current – Amperes Versus
Figure 1
Typical Forward Characteristics
10
Amps
0.5
0.6
0.7
0.8
0.01
0.1
1.0
5%
Volts
6A
05G tru 6A10G
MEDIAN
10%
pF
Volts
Typical Distribution
Reverse Junction Pottential – Volts
Junction Capacitance - pF
Figure 3.
Capacitance Characteristics
Median
1.0
150
10
60
2
4 10
100
MCC
Revision: 4
2008/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 6A6G-TP | 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| 6A4G-TP | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A10G-BP | 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A1G-BP | 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 6A10GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400 |
| 6A10GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 6A10G-RE6 | 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述: |
| 6A10M | 制造商:CHONGQING 制造商全称:CHONGQING 功能描述:TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER |
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