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参数资料
| 型号： | 6A20G |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 6A20G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6A05G | RECTIFIER DIODE |
| 6A80G | RECTIFIER DIODE |
| 6A10G | 6 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A2G | 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 6A4G | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 6A20G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:700 |
| 6A20G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:400 |
| 6A20G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 6A 2-Pin Case R-6 T/R |
| 6A20G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 6A20GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:R6，轴向 供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:700 |
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