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参数资料
| 型号： | 73S1210F-44IMR/F |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 24/126页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SMART CARD READER 44-QFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | 73S12xx |
| 核心处理器： | 80515 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 24MHz |
| 连通性： | I²C，智能卡，UART/USART |
| 外围设备： | LED，POR，WDT |
| 输入/输出数： | 8 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 6.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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73S1210F Data Sheet
DS_1210F_001
12
Rev. 1.4
specific SFR registers in the proper sequence. These special pattern/sequence requirements prevent
inadvertent erasure of the flash memory.
The mass erase sequence is:
1.
Write 1 to the FLSH_MEEN bit in the FLSHCTL register (SFR address 0xB2[1]).
2.
Write pattern 0xAA to ERASE (SFR address 0x94).
Note: The mass erase cycle can only be initiated when the ICE port is enabled.
The page erase sequence is:
1.
Write the page address to PGADDR (SFR address 0xB7[7:1]).
2.
Write pattern 0x55 to ERASE (SFR address 0x94).
The PGADDR register denotes the page address for page erase. The page size is 512 (200h) bytes and
there are 128 pages within the flash memory. The PGADDR denotes the upper seven bits of the flash
memory address such that bit 7:1 of the PGADDR corresponds to bit 15:9 of the flash memory address.
Bit 0 of the PGADDR is not used and is ignored. The MPU may write to the flash memory. This is one of
the non-volatile storage options available to the user. The FLSHCTL SFR bit FLSH_PWE (flash program
write enable) differentiates 80515 data store instructions (MOVX@DPTR,A) between Flash and XRAM
writes. Before setting FLSH_PWE, all interrupts need to be disabled by setting EAL = 1. Table 3 shows
the location and description of the 73S1210 flash-specific SFRs.
Any flash modifications must set the CPUCLK to operate at 3.6923 MHz (MPUCLKCtl = 0x0C)
before any flash memory operations are executed to insure the proper timing when modifying the
flash memory.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 73S1210F-44M/F/PD | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:SCR+PIN PAD/SRL INTRFC/PWR MGT-PROG - Rail/Tube |
| 73S1210F-44MR/F/PC | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| 73S1210F-68IM/F | 功能描述:8位微控制器 -MCU SoC Smart Card Readr w/PINpad & PWR Mgt RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| 73S1210F-68IM/F/P | 功能描述:IC SMART CARD READER PROG 68-QFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:73S12xx 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:260 系列:73S12xx 核心处理器:80515 芯体尺寸:8-位 速度:24MHz 连通性:I²C，智能卡，UART/USART，USB 外围设备:LED，POR，WDT 输入/输出数:9 程序存储器容量:64KB（64K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:- 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-VFQFN 裸露焊盘 包装:管件 |
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