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参数资料
| 型号： | 73S1210F-44IMR/F |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 30/126页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SMART CARD READER 44-QFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | 73S12xx |
| 核心处理器： | 80515 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 24MHz |
| 连通性： | I²C，智能卡，UART/USART |
| 外围设备： | LED，POR，WDT |
| 输入/输出数： | 8 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 6.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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DS_1210F_001
73S1210F Data Sheet
Rev. 1.4
125
Revision History
Revision
Date
Description
1.0
5/10/2007
First publication.
1.1
11/6/2007
In Table 1, added Equivalent Circuit references.
In Section 1.4, updated program security description to remove pre-boot
and 32-cycle references.
In Section 1.7.1, changed “Mcount is configured in the MCLKCtl register
must be bound between a value of 1 to 7. The possible crystal or external
clock are shown in Table 12.“ to “Mcount is configured in the MCLKCtl
register must be bound between a value of 1 to 7. The possible crystal or
external clock frequencies for getting MCLK = 96MHz are shown in Table
11.”
In the BRCON description, changed “If BSEL = 1, the baud rate is derived
using timer 1.” to “If BSEL = 0, the baud rate is derived using timer 1.”
In Section 1.7.14, removed the following from the emulator port
description: “The signals of the emulator port have weak pull-ups. Adding
resistor footprints for signals E_RST, E_TCLK and E_RXTX on the PCB is
recommended. If necessary, adding 10K
pull-up resistors on E_TCLK
and E_RXTX and a 3K
on E_RST will help the emulator operate
normally if a problem arises.”
In Ordering Information, removed the leaded part numbers.
1.2
12/15/2008
In Table 1, added the “Pin (44 QFN)” column.
In Table 1, added more description to the SCL, SDA, PRES, VCC, VPC,
SEC, TEST and VDD pins.
In Section 1.3.2, changed “FLSH_ERASE” to “ERASE” and
“FLSH_PGADR” to “PGADDR”. Added “The PGADDR register denotes
the page address for page erase. The page size is 512 (200h) bytes and
there are 128 pages within the flash memory. The PGADDR denotes the
upper seven bits of the flash memory address such that bit 7:1 of the
PGADDR corresponds to bit 15:9 of the flash memory address. Bit 0 of
the PGADDR is not used and is ignored.” In the description of the
PGADDR register, added “Note: the page address is shifted left by one bit
(see detailed description above).”
In Table 5, changed “FLSHCRL” to “FLSHCTL”.
In Table 5, removed the PREBOOT bit description.
In Table 5, moved the TRIMPCtl bit description to FUSECtl and moved the
FUSECtl bit description to TRIMPCtl.
In Table 6, changed “PGADR” to “PGADDR”.
In Table 7, added PGADDR.
In Table 8, changed the reset value for RTCCtl from “0x81” to “0x00”.
Added the RTCTrim0 and ACOMP registers. Deleted the OMP, VRCtl,
LEDCal and LOCKCtl registers.
In Table 7, removed the Mcount 7 row.
through USRIntCtl3 to USRIntCtl1 through USRIntCtl4.
In TCON, corrected the descriptions for TCON.2 and TCON.0.
In Section 1.7.9, added a note about USR pins defaulting as inputs after
reset.
Changed the register address for ATRMsB from FE21 to FE1F.
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| 73S1210F-68IM/F/P | 功能描述:IC SMART CARD READER PROG 68-QFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:73S12xx 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:260 系列:73S12xx 核心处理器:80515 芯体尺寸:8-位 速度:24MHz 连通性:I²C，智能卡，UART/USART，USB 外围设备:LED，POR，WDT 输入/输出数:9 程序存储器容量:64KB（64K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 数据转换器:- 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-VFQFN 裸露焊盘 包装:管件 |
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