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参数资料
| 型号： | 74AHC30 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | 8-input NAND gate(8输入与非门) |
| 中文描述： | 8输入与非门（8输入与非门） |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | 74AHC30 |
1999 Nov 30
8
Philips Semiconductors
Product specification
8-input NAND gate
74AHC30; 74AHCT30
AC CHARACTERISTICS
Type 74AHC30
GND = 0 V; t
r
= t
f
≤
3.0 ns.
Notes
1.
2.
Typical values at V
CC
= 3.3 V.
Typical values at V
CC
= 5.0 V.
Type 74AHCT30
GND = 0 V; t
r
= t
f
≤
3.0 ns.
Note
1.
Typical values at V
CC
= 5.0 V.
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
T
amb
(
°
C)
UNIT
WAVEFORMS
C
L
25
40 to +85
40 to +125
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
V
CC
= 3.0 to 3.6 V;
note 1
t
PHL
/t
PLH
propagation delay
A, B, C, D, E, F, G,
H to Y
see Figs 5 and 6 15 pF
5.0
6.7
9.5
12.0
1.0
1.0
11.0
14.5
1.0
1.0
12.0
15.5
ns
ns
50 pF
V
CC
= 4.5 to 5.5 V;
note 2
t
PHL
/t
PLH
propagation delay
A, B, C, D, E, F, G,
H to Y
see Figs 5 and 6 15 pF
3.6
4.9
6.5
8.0
1.0
1.0
7.5
9.5
1.0
1.0
8.0
10.5
ns
ns
50 pF
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
T
amb
(
°
C)
UNIT
WAVEFORMS
C
L
25
40 to +85
40 to +125
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
V
CC
= 4.5 to 5.5 V;
note 1
t
PHL
/t
PLH
propagation delay
A, B, C, D, E, F, G,
H to Y
see Figs 5 and 6
15 pF
50 pF
3.3
4.7
6.5
8.5
1.0
1.0
7.5
9.5
1.0
1.0
8.0
10.5
ns
ns
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PDF描述 |
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