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参数资料
| 型号： | 74AHCU04 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 电容 |
| 英文描述： | CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681 |
| 中文描述： | 陶瓷芯片/mil-prf-55681 |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 74AHCU04 |
1999 Sep 27
5
Philips Semiconductors
Product specification
Hex inverter
74AHCU04
DC CHARACTERISTICS
Over recommended operating conditions; voltage are referenced to GND (ground = 0 V).
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
T
amb
(
°
C)
UNIT
OTHER
V
CC
(V)
25
40 to +85
40 to +125
MIN.
TYP.
2.0
3.0
4.5
MAX. MIN. MAX.
1.7
2.4
4.4
0.3
0.6
1.1
1.8
2.7
4.0
2.48
MIN.
MAX.
0.3
0.6
1.1
V
IH
HIGH-level input
voltage
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
1.7
2.4
4.4
1.8
2.7
4.0
2.58
0.3
0.6
1.1
1.7
2.4
4.4
1.8
2.7
4.0
2.40
V
V
IL
LOW-level input
voltage
V
V
OH
HIGH-level output
voltage; all outputs
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
=
50
μ
A
V
HIGH-level output
voltage
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
=
4.0 mA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
=
8.0 mA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
= 50
μ
A
V
4.5
3.94
3.8
3.7
V
OL
LOW-level output
voltage; all outputs
2.0
3.0
4.5
3.0
0
0
0
0.2
0.3
0.5
0.36
0.2
0.3
0.5
0.44
0.2
0.3
0.5
0.55
V
LOW-level output
voltage
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
= 4 mA
V
I
= V
IH
or V
IL
;
I
O
= 8 mA
V
I
= V
CC
or GND
V
4.5
0.36
0.44
0.55
I
I
input leakage
current
3-state output
OFF current
quiescent supply
current
input capacitance
5.5
0.1
1.0
2.0
μ
A
I
OZ
V
I
= V
IH
or V
IL
;
V
O
= V
CC
or GND
V
I
= V
CC
or GND;
I
O
= 0
5.5
±
0.25
±
2.5
±
10.0
μ
A
I
CC
5.5
2.0
20
40
μ
A
C
I
3
10
10
10
pF
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 74AHCU04BQ-G | 功能描述:变换器 5V HEX INVERTER (UNBUFFERED) RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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| 74AHCU04D | 功能描述:变换器 HEX INVERTER UNBUF RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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