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参数资料
| 型号： | 74LCX126MX |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFFER QUAD LV N-INV 14SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | 74LCX |
| 逻辑类型： | 缓冲器/线路驱动器，非反相 |
| 元件数： | 4 |
| 每个元件的位元数： | 1 |
| 输出电流高，低： | 24mA，24mA |
| 电源电压： | 2 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 74LCX126MXDKR |
74LVC1G57
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 6 — 6 December 2011
9 of 20
NXP Semiconductors
74LVC1G57
Low-power configurable multiple function gate
13. Transfer characteristics
[1]
Typical values are measured at Tamb =25 C.
14. Waveforms transfer characteristics
Table 12.
Transfer characteristics
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
Symbol Parameter
Conditions
40 C to +85 C
40 C to +125 C Unit
Min
Typ[1]
Max
Min
Max
VT+
positive-going
threshold voltage
see Figure 14, Figure 15,
VCC = 1.8 V
0.70
1.02
1.20
0.67
1.20
V
VCC = 2.3 V
1.11
1.42
1.60
1.08
1.60
V
VCC = 3.0 V
1.50
1.79
2.00
1.47
2.00
V
VCC = 4.5 V
2.16
2.52
2.74
2.13
2.74
V
VCC = 5.5 V
2.61
2.99
3.33
2.58
3.33
V
VT
negative-going
threshold voltage
see Figure 14, Figure 15,
VCC = 1.8 V
0.30
0.53
0.72
0.30
0.75
V
VCC = 2.3 V
0.58
0.77
1.00
0.58
1.03
V
VCC = 3.0 V
0.80
1.04
1.30
0.80
1.33
V
VCC = 4.5 V
1.21
1.55
1.90
1.21
1.93
V
VCC = 5.5 V
1.45
1.86
2.29
1.45
2.32
V
VH
hysteresis voltage
(VT+ VT);
see Figure 14, Figure 15,
VCC = 1.8 V
0.30
0.48
0.62
0.23
0.62
V
VCC = 2.3 V
0.40
0.64
0.80
0.34
0.80
V
VCC = 3.0 V
0.50
0.75
1.00
0.44
1.00
V
VCC = 4.5 V
0.71
0.97
1.20
0.65
1.20
V
VCC = 5.5 V
0.71
1.13
1.40
0.65
1.40
V
VT+ and VT limits are at 70 % and 20 %.
Fig 14. Transfer characteristic
Fig 15. Definition of VT+, VT and VH
mna207
VO
VI
VH
VT+
VT
mna208
VO
VI
VH
VT+
VT
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